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Cr4+:YAG 晶体是大量用于1μm钕和镱激光器的优秀被动Q开关晶体。具有Q开关输出效率高、适合重复频率工作等特点。其抗光损伤阈值高,比染料和色心可饱和吸收体稳定、耐用,在某些情况下可替代电光Q开关输出高功率激光脉冲。
| 晶向 | <111>、<100>±5° |
| 初始吸收系数 | 0.5~6cm-1@1064nm |
| 初始透过率 | 6%~75%@1064nm |
| 元件尺寸 | 直径:3~12mm |
| 截面:3×3~12×12mm | |
| 尺寸公差 | 直径:0/-0.03mm,长度:0/+0.5mm |
| 柱面加工 | 精磨 |
| 端面平行度 | ≤30" |
| 端面平面度 | λ/8 @632.8nm |
| 表面质量 | 20-10 (MIL-O-13830A) |
| 增透膜反射率 | ≤0.25%@1064nm |
| 膜层抗激光损伤阈值 | ≥500MW/cm2 |